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羟乙基乙二胺权威发布_四甲基乙二胺干什么(2024年11月精准访谈)

内容来源：飘花网电影所属栏目：观点更新日期：2024-11-27

羟乙基乙二胺

羟乙基乙二胺的用途

二氧化硅介质化学抛光液本品二氧化硅介质化学抛光液，选用碱性抛光液，设备无腐蚀，稳定性好，可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入，抛光效率高，下面专家来科普本品化学抛光液的专业配方知识。制备方法将磨料碱性纳米SiO₂ 水溶胶在负压下形成涡流吸入负压反应釜；所述磨料质量分数为4%~50%;利用负压自动吸入硅溶胶，可避免在加料过程中引入污染物；在负压涡流状态下逐渐加入去离子水；再逐渐加入胺碱，胺碱调节pH 值为9～13;再加入胺碱pH 值调节剂，以防止局部pH 值过高而导致边缘滞流层纳米硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；再逐渐加入 FA/O Ⅱ型螯合剂及 FA/O Ⅱ型活性剂；充分搅拌 5～15min, 均匀后进行灌装。原料配伍本品各组分质量份配比范围为：纳米 SiO₂ 水溶胶20～90、去离子水5～75、胺碱1～5、FA/OⅡ 型螯合剂0.25～2、FA/O Ⅱ型活性剂0.25～2。所述负压反应器及管道形成密闭系统，材质为有机玻璃，管道选用无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。磨料为粒径40～100nm、分散度<0.0001的SiO₂溶胶。胺碱是三乙醇胺、四乙基氢氧化铵、乙二胺、羟乙基乙二胺或多亚乙基多胺中的一种以上。本品方法的主要作用为：抛光液制备反应器采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止滞流层硅溶胶的凝聚而失效；可使SiO₂溶胶不会在加入碱性 pH 调节剂过程中由于局部pH 值过高而凝聚导致抛光液失效。产品应用本品主要应用于二氧化硅介质化学机械抛光。产品特性选用碱性抛光液，可对设备无腐蚀，硅溶胶在碱性条件下稳定性好，解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端；SiO₂介质与胺碱易生成可溶性的胺化物，从而易脱离表面。选用纳米 SiO₂ 溶胶作为抛光液磨料，其粒径适中(40～100nm)、浓度高(可达到50%)、硬度小、对晶片损伤小，分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光，污染小，解决了Al₂O₃磨料硬度大易划伤、易沉淀的缺点。选用的反应器原材料为无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。负压搅拌的抛光液制备方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入。使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，可防止反应釜边缘滞流层硅溶胶因局部pH值不均衡而导致凝聚或溶解。在负压涡流状态下分别逐渐加FA/OⅡ 型螯合剂及FA/OⅡ型活性剂，这样搅拌均匀才不会引入污染。总之，该方法是SiO₂ 介质表面高精密加工过程中化学机械抛光 (CMP)抛光液的制备方法，其操作简单，不需添加其他设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善所生产器件的性能，大大提高成品率。本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著李东光

化学机械抛光半导体晶片用的抛光液作者：李东光本品化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，经济环保，且去除率高，粗糙度 Ra 值可以控制杂在10A以，下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。 4.png 制备方法取磨料铝溶胶，在强烈搅拌下，逐渐加入表面活性剂、分散剂、螯合剂，再加入氧化剂，其余加入去离子水，并用氢氧化钾调节其 pH 值，且使最终的抛光液的pH 值为5,便制得本品的抛光液。原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料20～30、表面活性剂5～10、分散剂6～9、螯合剂4～6、氧化剂1～5、去离子水加至100, pH 值调节剂调节pH 值为5。磨料为硅溶胶或铝溶胶，其粒径为5～20nm。表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、烷基三甲基溴化铵、烷基磺酸铵或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。分散剂采用聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸盐、聚胺盐或聚羧酸盐中的一种。螯合剂采用羟胺、胺盐、乙二胺四乙酸铵、柠檬酸铵或羟乙基乙二胺四乙酸铵中的一种。氧化剂采用硝酸。pH 调节剂采用氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵、多羟基多胺或羟胺中的一种。产品应用本品主要用作抛光液。产品特性本品不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到 200nm/min, 抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度 Ra 值在10A以下，抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著李东光

用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液本品化学机械抛光液，是用于计算机硬盘基片抛光，成本低、分散度好、抛光效率高、清洗简单高效。下面专家来科普本品计算机硬盘抛光液的专业配方知识。 01.png 制备方法在连续搅拌下的硅溶胶中，缓慢依次加入螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、氧化剂、去离子水，搅拌至均匀得计算机硬盘基片抛光液。原料配伍本品各组分质量份配比范围为：螯合剂0.5～5、pH调节剂0.5～5、硅溶胶58～90、表面活性剂0.5～5、氧化剂0.5～5、去离子水8～30。硅溶胶其粒径为20～50nm、含量为40%～50%。螯合剂为FA/O(具有13个以上螯合环的无金属离子的溶于水的螯合剂)或EDTA。pH调节剂为羟多胺类有机碱，如三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四羟乙基乙二胺。活性剂为非离子活性剂，如FA/O非离子活性剂、JFC型、O系列。氧化剂为碱性介质下可溶的过氧化物，如过氧化氢、过氧焦磷酸钠(Na4P₂O8ⷱ0H₂O)。 FA/O螯合剂不含钠离子且具有十三个以上螯合环。螯合剂的加入，增加了金属离子在浆料中的有效溶解度，有助于Ni及Ni氧化物颗粒的溶解，形成大分子可溶络合物，易于清洗，降低了颗粒对抛光表面的损伤或颗粒在活性抛光表面的再沉积，因而也就降低了表面损伤层。活性剂对颗粒也有控制作用，活性剂均匀的铺展在抛光表面，一方面，加强了抛光浆料的均匀一致性；另一方面，对颗粒有“托起”作用，使颗粒在表面为物理吸附。因为物理吸附的能量较小，颗粒易被湍流的浆料带走，从而提高了表面细腻性，有助于抛光后清洗的进行。 pH调节剂，在本品碱性抛光液中，碱的选择很重要。文献报道的抛光液中常使用NaOH、KOH等强碱作为pH调节剂。但是，这有一个很大的问题，碱金属离子在抛光过程中会进入衬底或介质层中，从而引起器件的局部穿通效应、漏电流增大等效应，使芯片工作的可靠性降低、器件寿命减小；并且，假如使用硅溶胶作为磨料，强电解质铜离子会使硅溶胶凝胶，从而使抛光液报废。本品选择不含金属离子的有机碱就解决了这些问题。有机碱作为pH调节剂，最高能将pH值调到12以上；并且还能充当缓冲剂，当抛光液局部pH值发生变化时，可以迅速释放本身的羟基调整pH值，使抛光液保持稳定的pH值，从而使氧化物表面处去除速率均匀，能得到较好的平行度。同时，当pH值>12.5时，SiO2胶粒被转化为可溶性水液，胶粒消失，起不到磨料作用，当加入有机胺可起到高pH值下使SiO₂稳定的作用，对提高浆料稳定性也有很重要的意义。本品中SiO₂磨料其粒径小(25～50nm)、含量高(40%～50%)、硬度为6～7(对基片损伤度小)、分散度好，最大粒径不会超过粒径上限的 5nm，可以解决硬盘基片磨料的划伤性问题；且流动性好、无沉淀、抛光后产物黏度小，后续清洗简单；且二氧化硅磨料无毒、无污染，是理想的磨料。表面活性剂在基片抛光中起着非常重要的作用。它影响着抛光液的分散性、颗粒吸附后清洗难易程度以及金属离子沾污等问题。本品选用的活性剂不仅可以提高质量传递速率，提高凹凸速率差，以提高平整度；而且能降低表面张力，降低粗糙度，减少损伤雾，还可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态。氧化剂在抛光过程中可以将基片表面氧化成较软的氧化层，这样，在磨料的磨除作用下，能较容易的剥离下来，这样可以提高抛光速率。基片抛光液常用氧化剂有K₃[Fe(CN)₆]、Fe(NO₃)₃、KIO₃和双氧水等。K₃[Fe(CN)₆]、Fe(NO₃)₃会引入FeⳫ，KIO₃会引入K+，形成离子沾污，影响器件性能，而且K₃[Fe(CN)₆]还有剧毒，这对应用于生产是非常不利的，并且会造成严重的环境污染。而本品所用的氧化剂，它不含金属离子，不会引起金属离子沾污；而且反应产物无污染，易于清洗。产品应用本品主要应用于计算机硬盘基片化学机械抛光。产品特性本品为碱性抛光液，对设备无腐蚀，并且硅溶胶稳定性好，从而解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端；pH值9以上时，易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面。本品中，抛光液在抛光过程中主要起到以化学作用为主的化学机械抛光，螯合剂的加入使得Ni容易形成大分子可溶有机物，而且形成物稳定，易于清洗；同时磷转化为可溶性磷酸盐；抛光液无毒、成本低；活性剂增加了高低选择比，大大降低了表面张力、减小了损伤层、提高了基片表面的均一性、使得表面凹凸差大大降低，从而有效地提高了交换速率，增强了运输过程，成为高平整高光洁表面；通过创造物理吸附物质为主的环境，控制基片表面长期处于易清洗的物理吸附状态，有效防止颗粒再沉积，实现集中高效清洗。本品中SiO₂磨料其粒径小(25～50nm)、含量高(>40%)、硬度小(对基片损伤度小)、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了Al₂O₃磨料硬度大等诸多弊端；有效地解决了三氧化二铝为磨料时引起的划伤及后清洗困难的问题，提高产品的成品率；同时，也避免了酸性抛光液抛光中易产生的塌边现象的发生；后清洗简单，可以降低后清洗中的费用。在抛光过程中，本品可以降低金属离子污染。本品配方制造成本价格较低，使用效果可以取代进口产品。本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著李东光

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