当前位置：网站首页 » 导读 » 内容详情

finfet工艺新上映_soi和finfet(2024年12月抢先看)

内容来源：飘花网电影所属栏目：导读更新日期：2024-12-03

finfet工艺

台积电助英特尔，3nm芯片来袭 𐟓… 6月19日消息，据DigiTimes报道，台积电已经开始在其3nm EUV FinFET工艺节点上为英特尔量产Lunar Lake和Arrow Lake组件（Tile）。与第13代及更早版本的单片芯片处理器不同，英特尔Core Ultra处理器家族采用分解架构，将不同的组件（命名为Tile或chiplet）分开制造，然后集成到一个基板上。 𐟔砨‹𑧉𙥰”已确定使用台积电的3nm工艺节点，生产即将推出的Core Ultra200“Lunar Lake”处理器。该处理器在2024年台北国际电脑展上亮相。Lunar Lake移动处理器的功耗降低了40%，核显性能提升1.5倍，算力达到120TOPS。 𐟓… 首批采用Lunar Lake移动处理器的笔记本电脑预计将在2024年第3季度上架，而Arrow Lake则将在第4季度上市。

回顾历史能看到，2011年英特尔首发了22nm FinFET工艺，远超当时台积电、三星的28nm，技术优势可谓遥遥领先。然而从14nm节点开始，英特尔接连遭受重创。 2014年，英特尔和三星都实现了14nm制程芯片的生产，可到2017年，台积电已经推进到10nm、7nm工艺，英特尔却因为不愿意采用最新的EUV光刻技术，导致其原计划在2016年大规模量产10nm芯片直到2019年才实现量产，比台积电推出时间晚了两年半，而其7nm芯片更是直至2022年才推出。实际上，三星芯片代工在早年占据了绝对优势。2007年乔布斯发布第一代iPhone时，使用的正是从三星采购的ARM架构芯片。后续搭载于iPhone 4、iPhone 4s、iPhone 5、iPhone 5s/5c身上的A4、A5、A6、A7芯片也均由三星代工，那时候还没有台积电什么事。直到2011年，因为三星自己也从事手机芯片和手机终端研发和销售业务，如此一来就与苹果在智能手机市场上有了竞争关系。双方互相拉扯，直到2018年6月才达成和解。在这个过程中，苹果也开启了“去三星化”进程。2014年推出的A8芯片，全部转由台积电代工。台积电能顺利从三星手中抢到苹果的订单，一方面是苹果急着寻找可替代的代工商，给台积电制造了很大的机会。另一方面是台积电在20nm工艺上取得重大突破，良品率大幅提升，而三星的20nm工艺突然掉链子，关键问题迟迟无法解决，良品率满足不了苹果的要求。正是这样的天时地利，让台积电成功抱到了苹果这条大腿。反观三星，大客户被抢之后，决定不搞20nm，选择直接从28nm跳到14nm，对台积电的16nm形成反超。所以，在2015年的A9芯片上，苹果又重新分给三星一部分订单，于是出现台积电代工和三星代工两种版本。理论上，三星14nm表现应该是优于台积电16nm，但消费者的口碑却完全相反，很多人都担忧买到三星代工的版本。这次的失利，让三星彻底失去苹果的代工订单，苹果公司之后的芯片均由台积电代工，制程也从2015年的16nm，稳步提升到4nm。与此同时，高通也险些在三星代工中跌了跟头，骁龙8+Gen1紧急转为台积电4nm代工，才强行挽回了高通的口碑和市场地位。三星几乎把追赶台积电的全部希望都押注在3nm工艺上。2023年，三星率先推出3nm制程工艺，采用更加先进的GAA（环绕栅极晶体管）技术，领先于台积电的FinFET技术。然而从市场进展来看，三星3nm工艺在良率方面面临挑战，这导致了一个很尴尬的局面，即三星的3nm芯片，虽然比台积电先推出，但是成本却比台积电高出很多，性能表现也存在差距。据悉，三星第二代3nm制程工艺良品率不稳定，自家Exynos2500良品率都不足20%，三星Galaxy25系列手机全系搭载骁龙8Gen4处理器，放弃自研Exynos2500版本，原因是体验差异太大。

【「中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展」】「中科院超话」环栅晶体管（GAAFET）与传统FinFET工艺流程相比，引入了内侧墙（inner spacer）、沟道释放（channel release）等工艺，必须通过对叠层结构的精确横向刻蚀来实现。高精度刻蚀工艺控制是三维集成电路制造面临的最大挑战之一，其工艺机理和调控机制在科学界和工业界受到广泛关注。针对GAA内侧墙结构Si/SiGe叠层横向选择性刻蚀工艺面临的形貌缺陷和均匀性问题，中科院微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰高级工程师、南方科技大学王中锐教授、维也纳工业大学Lado Filipovic教授合作，通过提出全新的Ge原子解吸附和扩散的模拟算法，建立了基于蒙特卡洛方法的连续两步干法刻蚀工艺轮廓仿真模型，实现了针对Si/SiGe六叠层结构的横向选择性刻蚀工艺轮廓仿真，并完成了相应结构的流片实验。通过结合形貌仿真和透射电子显微镜（TEM）表征，探究了Ge层刻蚀表面圆化现象，以及腔体气压等参数对刻蚀形貌均匀性的影响机制。该项工作为阐明新原理刻蚀工艺机理和优化工艺性能提供了理论和实验参考。中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展

7800X3D降价！最强游戏CPU出炉 𐟎𘸦ˆ性能仅次于7800X3D的CPU终于来了！这意味着7800X3D的价格将不再那么高不可攀。𐟒𘊊𐟓… 抢先体验AMD RYZEN 7000 Series的新品——AMD RYZEN 57600X3D游戏处理器。这款处理器采用了AMD3D-Cache技术，性能强劲。𐟚€ 𐟔堩℧𚦦𔻥Š见맃�›行中，9月13日晚20:00开始，9月20日10:08结束。抢先发货，确保你第一时间体验到这款强大的处理器。𐟏ƒ‍♀️ 𐟛 ️ 技术参数方面，AMD RYZEN 57600X3D采用TSMC 5 nm FinFET工艺，架构为“Zen”4，核心数量为41，时钟频率高达12 GHz，线程数为102。𐟔犊𐟒堥楤–，AMD RYZEN R77800X3D也正在热销中，全新散片单CPU售价仅2987元，优惠后价格可能更高。𐟎‰ 𐟔„ 快来体验这款比7800X3D更强的游戏CPU，让你的游戏性能更上一层楼！𐟚€

【「AMD发布一系列AI相关产品」和英伟达、英特尔、高通全线竞争】AMD发布一系列AI相关产品和英伟达、英特尔、...AMD发布新品欲追赶英伟达。美国加州时间10月10日，美国芯片设计公司AMD（NASDAQ：AMD）在旧金山举办年度发布会，正式发布了用于数据中心的新款AI芯片“MI325X”和第五代中央处理器（CPU）平台“Turin”，及用于个人电脑的主打AI能力的CPU芯片“Ryzen AI PRO 300”系列。AMD还在发布会上推出了新款数据中心网络芯片、数据中心AI解决方案等。　　“AI是高性能计算最令人兴奋的应用，AI在未来将会显著拉动对算力的需求，我们今天将大量讨论AI，” AMD CEO苏姿丰（Lisa Su）在当日的发布会上以此开场。　　AI芯片参数方面，此前在6月3日台北国际电脑展（Computex）期间，AMD就首次公布了MI325X的参数，直接对标英伟达于2023年11月发布的H200。　　MI325X采用台积电5-6纳米 FinFET工艺，存储搭载了256GB的HBM3e内存，内存带宽达到了6TB/s；与之相较，H200采用台积电4纳米工艺，存储搭载了141GB的HBM3e内存，内存带宽为4.8TB/s。AMD称，MI325X的理论峰值AI算力是H200的1.3倍。

𐟓𑶩vo X60 Pro，作为2020年的收官之作，真的是厉害到没朋友！它延续了X系列的轻薄美学，仅7.59mm的厚度和178g的重量，让你仿佛握着一片羽毛。𐟌ˆ色彩主题原力和华彩，仿佛把朝阳、天空与海面都融入了手机之中，每一次解锁都是一次视觉盛宴。𐟒ꦐ�𝧚„三星Exynos 1080旗舰芯片，5nm EUV FinFET工艺，给你飞一般的体验。𐟓𗨔᥏𘨁”合影像系统，超广角、专业人像、超长焦一应俱全，摄影新手也能轻松拍出大片感。𐟌ƒ夜景拍摄更是惊艳，超级夜景算法让暗夜变明昼，新增的夜景风格更是让摄影充满无限可能。vivo X60 Pro，不仅是手机，更是艺术品，你值得拥有！𐟌Ÿ

目前，美国在尖端芯片制造领域正在进行大规模投资，以提升技术能力和产业自主性。以下是美国当前最先进芯片产品和相关产业发展的现状。 𐟔𔥏𐧧倫𕧚„领先制造技术台积电在美国亚利桑那州凤凰城建设了三个先进的芯片制造工厂。其中第一座工厂将生产4纳米节点的芯片；第二座工厂计划生产世界上最先进的2纳米工艺芯片；第三座工厂预计将扩展至2纳米及更先进的技术。台积电预计到2025年将开始大规模生产，同时这些工厂将为美国提供本地化的高端芯片供应，支持人工智能、5G及6G通信和高性能计算等领域。这是美国吸引全球芯片制造龙头企业落地的重要举措。 𐟔𔧾Ž光在存储芯片领域的突破美光科技正在纽约州和爱达荷州建设两个超大规模的“存储芯片制造基地”。这些工厂专注于高端DRAM内存芯片的生产，具备总计240万平方英尺的洁净室空间，是美国历史上规模最大的芯片制造设施。 𐟔𔨋𑧉𙥰”的技术研发与先进封装英特尔公司通过其在亚利桑那州、俄勒冈州和新墨西哥州的工厂网络，继续发展自己的先进制造技术，包括基于2纳米以下节点的芯片。英特尔还在先进封装技术（如EMIB和Foveros）上取得重要进展，这些技术对于满足复杂芯片设计和多芯片集成至关重要。此外，英特尔正致力于打造其“英特尔3”工艺节点，预计将于2024年投入大规模生产，这将为数据中心、高性能计算和人工智能应用提供更强大的支持。 𐟔𔦠𜧽—方德的创新制造格罗方德位于纽约州马耳他市的Fab 8工厂，是美国国家安全和高端电子产品的重要供应来源。该工厂生产14纳米至12纳米的FinFET工艺节点，并计划进一步扩展生产能力以满足军事和民用技术的需求。 𐟔𔁍D的最先进芯片数据中心芯片：EPYC（霄龙）系列 AMD的最新一代霄龙（EPYC）处理器基于“Zen 4”和即将推出的“Zen 5”架构。最新型号包括EPYC Genoa和EPYC Bergamo，其中Bergamo采用高密度的“Zen 4c”核心设计，支持128核心256线程，主要针对云计算和多线程工作负载。此外，AMD计划在2024年推出基于3nm工艺的Zen 5处理器，该架构进一步优化了性能和能效，集成AI和机器学习加速器，旨在应对下一代数据中心需求。 AI加速器：AMD Instinct系列 AMD Instinct MI300是其最新的加速器，融合了CPU和GPU功能，基于先进的CDNA 3架构，采用Chiplet技术，支持大规模AI推理和训练。MI300是AMD针对超大规模AI模型（如ChatGPT）的解决方案，被称为“全球第一个APU型AI加速器”，能够有效降低功耗并提升性能。桌面处理器：Ryzen（锐龙）8000G系列 AMD推出了Ryzen 8000G桌面处理器系列，这些处理器首次在桌面平台引入专用AI单元（NPU），支持高效AI工作负载优化。Ryzen 8000G系列整合Radeon 700M显卡，在1080p游戏和内容创作中表现出色，适合需要高性能与AI能力的个人用户。 𐟔𔨋𑤼Ÿ达的最先进芯片 AI加速器：H100 GPU 英伟达的H100 Hopper架构GPU是目前市面上最强大的AI处理器之一，专为AI训练和推理设计。它采用台积电4nm工艺，支持Transformer引擎和FP8计算，优化了大语言模型（LLMs）和生成式AI的性能。H100在企业级数据中心中得到了广泛应用，例如OpenAI和Meta等公司。数据中心GPU：A100 GPU 虽然H100是英伟达的旗舰产品，但A100依然是数据中心的重要组成部分，特别是在成本和性能之间平衡的工作负载中。例如，A100在AI模型推理和较小规模的训练中表现优秀，广泛用于行业和学术研究。消费级显卡：RTX 4090 对于个人消费者，英伟达的RTX 4090显卡是目前最先进的消费级GPU，基于Ada Lovelace架构，支持实时光线追踪和DLSS 3技术，适合高端游戏和内容创作者。 𐟔𔤺礸š整体影响与未来展望美国目前的芯片制造产能占全球约12%，这与20世纪90年代初美国占据全球芯片制造产能37%的巅峰期相比有显著下降。随着《CHIPS与科学法案》的实施，美国正在大力推动本土半导体制造的复兴，预计2032年将占据全球先进芯片（小于10纳米制程）制造产能的28%。目前，美国已宣布了超过4500亿美元的新制造项目投资，并计划通过这些投资提升国内芯片制造的全球份额。这一系列投资旨在减少对外国供应链的依赖，增强经济和国家安全，同时创造数万个高技能工作岗位。亚利桑那州、纽约州和爱达荷州等地也因这些项目成为芯片制造领域的新兴中心。「中国半导体行业协会发声明」

中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展近日，合肥工业大学系统结构研究室边缘性缺陷测试研究团队提出一种可用于6T SRAM（FinFET工艺）自热效应表征方法并在基于FinFET的高性能FPGA平台上进行了实验验证。随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大了晶体管功耗，进而使得晶体管可靠性下降，严重的可至电路失效。因此，有效的针对基于先进纳米工艺的高集成密度的自热效应进行表征对电路的可靠性研究具有重要意义。该团队利用占空比和电路性能参数读延迟时间来实现6T SRAM的自热效应表征。文章通过Hspice工具分别仿真了6T SRAM的保持、读和写三种状态，分析了自热效应对6T SRAM不同状态的影响。且进一步改变读状态下的占空比，提取读延迟参数随占空比的变化发现读延迟呈上升、不变和下降趋势。使用理论深入解析的产生机理，并有效的利用读延迟变化进行自热效应表征。最后，在基于FinFET工艺的FPGA平台上进行了实验验证。研究结果表明，所提出的自热效应表征方法可用于瞬态温度：0-84.5℃，电路温度：0-48.8℃的表征温度范围。

𐟚€三星3nm工艺遭遇挑战！ 𐟘𘉦˜Ÿ在3nm工艺上再次遭遇挫折！虽然Exynos 2500 SoC已经完成了tap out，但良率问题仍然令人头疼，目前仅不到20%的良率，让三星在wafer out和大规模量产上面临巨大挑战。 𐟤” 如果良率无法提升，Exynos 2500可能将缺席Galaxy S25系列，这意味着未来无论欧版还是国行版，都可能搭载高通骁龙8Gen 4，这无疑对三星来说是一个巨大的打击。 𐟒ᠧ„𖨀Œ，三星的尝试并非毫无意义。他们敢于尝试新的GAA制程工艺，这体现了三星在科技创新方面的决心。因为FinFET工艺已经接近天花板，想要延续摩尔定律，就必须探索新的制程工艺。 𐟒𐠥𝓧„𖯼Œ三星有足够的财力去投入研发，提升良率。如果他们能够短期内将Exynos 2500的良率提升到及格线，那么仍有可能在S25系列上搭载这款SoC。三星不希望一直被高通所束缚，他们也希望掌握SoC的话语权。 𐟔堦€𛧚„来说，虽然三星在3nm工艺上遇到了挑战，但他们的创新精神值得赞赏。未来，我们期待他们能够克服这些困难，推出更出色的产品！

「华为mate品牌盛典」「华为mate70」N+2工艺主要指的是集成电路（芯片）的制造工艺，其中的“n"表示当前主流工艺节点的代号，而 “+2"表示在该主流工艺节点上进行两项主要改进或增强。这种工艺在芯片制造领域代表了一种技术水平的提升，旨在实现更高的集成度、更好的性能和更低的功耗”。在具体的应用中，N+2工艺可以提供更高效、更先进的芯片制造技术，从而在整体性能和功耗方面带来进一步的提升。同时，N+2工艺可能还能为更复杂的应用提供更多的功能和灵活性”。特别是在中芯国际的背景下，N+2工艺指的是其第二代FinFET工艺，与第一代FinFET工艺 (14nm及改进型的12nm）相比，N+2工艺在性能、功耗和面积上都有显著提升。具体来说， N+2工艺相比于14nm工艺，性能提升了35%，功耗降低了50%，逻辑面积缩小了70%，SoC面积缩小了55%”。这使得N+2工艺在性能上与市场上的7nm工艺更为接近，尤其是在稳定性方面，尽管性能上可能略逊一筹”。中芯国际通过DUV多重曝光技术实现“等效5nm 的工艺，这在半导体制造领域是一项创新，提升了国产芯片的性能和能效，为全球半导体供应链提供了多元化的选择”。N+2工艺的成功量产，预计将对全球半导体供应链产生重要影响，有助于缓解芯片短缺问题，推动全球半导体技术的发展和创新”。

专栏内容推荐

1080 x 450 · jpeg
先进工艺22nm FDSOI和FinFET简介
素材来自:ppmy.cn

865 x 414 · png
FinFET工艺流程图-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net

1080 x 808 ·
FinFET靠边站 | 探秘3纳米及以下工艺技术 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
600 x 554 · jpeg
FinFET工艺技术详解 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

1342 x 658 · png
FinFET的原理与工艺 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

722 x 724 · jpeg
五分鐘讓你看懂 FinFET
素材来自:anchi-tech.com.tw
695 x 600 · jpeg
FinFET工艺技术详解
素材来自:zhihu.com

987 x 573 · png
FinFET工艺流程图-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
950 x 339 ·
從FinFET到GAA：三星3nm晶圓代工轉型之旅 - 電子技術設計
素材来自:edntaiwan.com

600 x 429 · jpeg
FinFET工艺记录 20220516 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
720 x 358 · png
Finfet工艺（1） - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

600 x 306 · jpeg
FinFET工艺记录 20220516 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

600 x 392 · jpeg
FinFET工艺（2） - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
1890 x 1701 · jpeg
14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比
素材来自:wulixb.iphy.ac.cn

761 x 431 · jpeg
什么是FinFET？带你全方位认识FinFET！_电路_半导体_建筑_电子_芯片_材料_控制-仿真秀干货文章
素材来自:fangzhenxiu.com
817 x 523 · jpeg
FinFET工艺记录 20220516 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com