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晶向指数最新视觉报道_晶面指数怎么画(2024年11月全程跟踪)

内容来源：飘花网电影所属栏目：热点更新日期：2024-11-29

晶向指数

集成电路工艺笔记：从晶体管到硅提纯 1. 𐟔砦™𖤽“管是集成电路和计算机系统的基础，我们需要回顾一下双极型和MOS晶体管的基本特性。 𐟌 常用的衬底材料包括硅、锗和砷化镓。虽然硅在电子迁移率上不如砷化镓，但它在成本、重量、稳定性、导热性能和机械性能方面都有优势。因此，硅更适合大规模生产，而砷化镓则适用于小规模、高频的太赫兹或红外波段。 𐟔 晶向指数和晶面指数的学习让我们对晶体结构有了更深入的了解。但“采用合适的晶面作为衬底”的具体含义还不太清楚，猜测是指将所选定的晶面作为外延面。 𐟒Ž 石英砂中的硅提纯方法包括用含碳量高的材料如木炭和煤等燃烧，还原二氧化硅为单晶硅。然后用强酸去除金属杂质，再用盐酸等氧化硅为液态硅化物，经过蒸馏提纯再还原硅。但盐酸氧化硅的过程是否算作“腐蚀”还不太明白。

清华材料科学与工程考研大纲全解析当大家感到迷茫时，不妨静下心来，听听内心的声音。如果你依然选择考研，那么请珍惜每一刻时光，努力拼搏，回报自己。以下是清华材料学院材料科学与工程考研大纲的详细梳理，供大家参考。 𐟓š 材料科学基础晶体学基础布拉维点阵、晶体结构典型金属晶体中的间隙晶面指数与晶向指数标准投影晶体的堆垛方式固体材料的结构元素的晶体结构合金相结构固溶体离子化合物晶体的塑性变形滑移和孪生应变硬化晶体中的缺陷点缺陷（概念、种类、平衡浓度）位错（概念、运动、受力、交互作用、反应）界面界面的定义与分类晶界模型界面能界面偏聚界面迁移界面形貌材料热力学与相图热力学基本概念单组元、合金体系、多相体系的热力学关系自由能构建相图与相律相图的基本概念二元、三元相图利用相图分析相、组织等相图与性能关系固体中的扩散扩散的概念与分类 Fick定律稳态扩散，非稳态扩散 Kirkendall效应扩散的微观机制影响扩散的因素反应扩散扩散的应用凝固与结晶凝固与结晶的概念纯金属、固溶体及两相体系凝固过程的形核与长大铸造组织特征及工艺控制凝固技术及应用固态相变固态相变的基本特点和分类固态相变形核与长大机制过饱和固溶体脱溶颗粒粗化调幅分解奥氏体分解相变马氏体相变回复与再结晶回复与再结晶的概念退火过程组织和性能变化回复过程的组织变化、机制及动力学再结晶形核、长大、动力学及影响因素晶粒长大及其他结构变化金属的热变形生活给你压力，你就还它奇迹；人生给你考验，你就还它经验。没有什么能难倒自己，只要你愿意坚持，愿意付出，成功就会眷顾你。考研加油！

𐟧晶向指数与晶面指数解析𐟔 𐟓š晶向指数，你了解多少？它是用[]来表示的，就像这样：[110]或[111]。而晶向族则用<>来表示，例如<110>或<111>。 𐟤”晶面指数又是怎样的呢？它是用()来表示的，像(110)或(111)。而晶面族则用{}来表示，比如{110}或{111}。 𐟒᥅�𙦙𖧳𛩇Œ，你需要知道如何给晶向和晶面写四指数，并能够画出对应的晶向和晶面。这是材料学的重要知识点哦！ 𐟔쥏楤–，晶带、晶面间距等概念，你都需要了解和学习。特别是晶面间距，要区分面心立方和体心立方，并学会比较d的方法。 𐟒꧎𐥜诼Œ你是不是对晶向指数和晶面指数有了更深入的了解呢？一起加油，成为材料学的专家吧！

晶面与晶向：半导体工艺的核心知识晶面和晶向是晶体学中的两个基本概念，它们在硅基集成电路工艺中起着至关重要的作用。以下是关于晶面和晶向的详细解释： 𐟔 晶向的定义与性质晶向是指晶体中某个特定方向，通常用晶向指数来表示。它通过连接晶体结构中的任意两个晶格点来定义。每个晶向上包含无穷多个格点，同一个晶向可以有多个平行的晶向组成一个晶向簇，而晶向簇覆盖晶体中的所有格点。晶向的重要性在于它标定了晶体内原子排列的方向性。例如，[111]晶向代表的是一个特定方向，其中三个坐标轴的投影比例为1:1:1。 𐟓 晶面的定义与性质晶面是晶体中的一个原子排列的平面，用晶面指数（Miller指数）表示。例如，(111)表示晶面在坐标轴上的截距倒数为1:1:1。晶面具有以下性质：每个晶面上有无穷多个格点；每个晶面都有无穷多个平行的晶面，形成晶面簇；晶面簇覆盖了整个晶体。晶面指数的确定方式是通过取该晶面在各坐标轴上的截距，并取其倒数化为最小整数比。例如，(111)表示的晶面在x、y、z三轴上的截距比例为1:1:1。 𐟔— 晶面与晶向的相互关系晶面和晶向是描述晶体几何结构的两种不同方式。晶向是指某一方向上的原子排列，而晶面是指某一特定平面上的原子排列。这两者有一定的对应关系，但它们表示的物理概念不同。关键关系：某个晶面的法向量（即垂直于该晶面的向量）正好对应一个晶向。例如，(111)晶面的法向量正好是[111]晶向，这意味着在[111]方向上的原子排列与该晶面垂直。 𐟛 ️ 半导体工艺中的实际应用晶体生长：半导体晶体的生长通常沿着特定的晶向进行。硅晶体最常沿着[100]或[111]晶向生长，因为这些晶向对应的晶体稳定性和原子排列有利于生长。蚀刻工艺：在湿法蚀刻中，不同的晶面具有不同的蚀刻速率。例如，在硅的(100)晶面和(111)晶面上，蚀刻速率不同，导致各向异性蚀刻效果。器件特性：MOSFET器件的电子迁移率受到晶面影响，通常(100)晶面上的迁移率较高，因此现代硅基MOSFET大多采用(100)晶片。通过了解这些基础知识，可以更好地理解半导体工艺中的各种现象和问题，从而提高器件的性能和可靠性。

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